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簡要描述：III-V族外延晶圓是MCT/InAs/InAsSb探測器的設(shè)計(jì)者和制造商，提供低溫制冷的紅外探測器、III-V族外延片，覆蓋1-16μm光譜范圍，同時提供探測器模塊、前置放大器、TEC溫控等組件和解決方案。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：代理商更新時間：2024-10-09訪 問 量：876產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
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詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 供貨周期 | 兩周 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工 |
III-V族外延晶片 波蘭VIGO公司成立于1993年，擁有一支超過30年紅外探測器研究經(jīng)驗(yàn)的資深專家隊(duì)伍，是MCT/InAs/InAsSb探測器的設(shè)計(jì)者和制造商，提供低溫制冷的紅外探測器、III-V族外延片，覆蓋1-16μm光譜范圍，同時提供探測器模塊、前置放大器、TEC溫控等組件和解決方案。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓。
VIGO的ENT外延部門生產(chǎn)III-V(GaAs-，InP-)相關(guān)的半導(dǎo)體化合物，在外延方面有35年的經(jīng)驗(yàn)，并且能夠根據(jù)客戶需求提供定制服務(wù)。VIGO利用MOCVD外延技術(shù)制備了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半導(dǎo)體的原子工程外延層，具有德國柏林廠商Laytec的監(jiān)控生產(chǎn)系統(tǒng)，擁有水平層流反應(yīng)器，進(jìn)行基片載流子的多次旋轉(zhuǎn)產(chǎn)品。這條新產(chǎn)品線擴(kuò)展了VIGO公司的產(chǎn)品組合，為各種微電子和光子應(yīng)用提供外延服務(wù)，下游的應(yīng)用包含三極管，二極管，激光器，探測器等。具有以下特點(diǎn)：
外延納米技術(shù)，超越單一技術(shù)解決方案
大規(guī)模生產(chǎn)或小批量制造，提供多類優(yōu)質(zhì)外延片
生產(chǎn)的高級III-V族化合物半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)，被廣泛運(yùn)用于光子設(shè)備（F-P、VCSEL、QCL激光器、光電探測器）、微電子設(shè)備（二極管、晶體管）
聚焦無線、電信、傳感或打印領(lǐng)域的高度創(chuàng)新型產(chǎn)品，可提供全面的研發(fā)服務(wù)。
超高純度
精確控制厚度在±1nm
優(yōu)秀的均勻性
重現(xiàn)性
可外延尺寸 2, 3, 4，8英寸
XRD曲線：
產(chǎn)品純度一致性：
表面粗糙度：
量子井：
半導(dǎo)體類型：
場效應(yīng)晶體管，被動器件，高遷移率晶體管
EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots
LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness
InGaAs, AlGaAs探測器,SWIR, LWIR
外延晶圓類型：
GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P
InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y
| GAAS BASED PRODUCTS | INP BASED PRODUCTS | ||
| AlGaAs/GaAs | QW edge emitting lasers
VCSELs FETs, HEMTs, Schottky diodes varactors | InGaAsP/InP | strained or matched QW edge emitting lasers and SOAs 1300 – 1600nm |
| GaAsP/GaAs | strained QW edge emitting lasers | InGaAs/InP | QW edge emitting lasers |
| InGaAsP/GaAs | QW lasers 808nm | InGaAsP/InP | VCSEL structures |
| InGaAs/AlGaAs/GaAs | strained QW lasers | InAlGaAs/InP | edge emitting and VCSEL structures |
| InAs/GaAs | QD lasers | InGaAsP/InP | passive devices |
| AlGaAs/GaAs | passive waveguides | InGaAs | photodetectors |
| Manufactured to specification | InAlAs/InGaAs/InP | HEMTs | |
| Manufactured to specification | |||
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